در این بخش ما طول پیوند­های موثر را بررسی کردیم.

M = N , P , As , Sb
شکل ۴-۵ : شماره گذاری اتم­ها در پیکربندی سیس و ترانس ترکیبات ۱ تا ۴
در تصویر بالا شماره گذاری اتم­ها برای تجسم بهتر طول پیوند­ها و زوایای پیوندی انجام شده است.

مقادیر طول پیوندM1=M2 در ترکیبات ۱ تا ۴ در پیکربندی سیس به ترتیب ۱.۲۳۵ ، ۲.۱۰۵ ، ۲.۳۰۲ و ۲.۶۶۳ آنگستروم و در پیکربندی ترانس به ترتیب ۱.۲۳۹ ، ۲.۱۰۹ ، ۲.۳۰۳ و ۲.۶۵۵ آنگستروم می­باشد. مقادیرطول پیوند دوگانه M1=M2 در ترکیبات موردنظر توافق بسیار خوبی با مقادیر تجربی طول پیوند دوگانه M1=M2 دارد. طول پیوند دوگانه M1=M2 تجربی برای N=N 1.25 ، P=P 2.02-2.05 ، As=As 2.22-2.24 و Sb=Sb 2.64-2.67 آنگستروم می­باشد ]۱۹[.
اختلاف بین طول پیوند در پیکربندی سیس و ترانس Δ[ r_{M1-M2 Trans} – r_{M1-M2 Cis} ] برای ترکیبات ۱ تا ۴ به ترتیب ۰.۰۰۴ ، ۰.۰۰۳ ، ۰.۰۰۱ و -۰.۰۰۸ آنگستروم می­باشد که یک روند کاهشی دارد با توجه به اینکه اثر آنومری تعمیم یافته رابطه مستقیم با طول پیوند دارد مطابق انتظار با کاهش اثر آنومری تعمیم یافته از ترکیب ۱ به ۴ اختلاف طول پیوندM1=M2 نیز کاهش پیدا می­ کند (جدول ۴-۷).
مقادیر طول پیوند M2-C4 در ترکیبات ۱ تا ۴ در پیکربندی سیس به ترتیب ۱.۴۴۷ ، ۱.۸۶۹ ، ۱.۹۴۱ و ۲.۱۶۹ آنگستروم و در پیکربندی ترانس به ترتیب۱.۴۲۷ ، ۱.۸۶۶ ، ۱.۹۴۱ و ۲.۱۶۹ آنگستروم می­باشد. اختلاف بین طول پیوند در پیکربندی سیس و ترانس Δ[ r_{M2-C4 Trans} – r_{M2-C4 Cis} ] برای ترکیبات ۱ تا ۴ به ترتیب ۰.۰۲ ، ۰.۰۰۳ ، ۰ و ۰ آنگستروم می­باشد که یک روند کاهشی دارد در بالا اشاره شده که با توجه به اینکه اثر آنومری رابطه مستقیم با طول پیوند دارد مطابق انتظار با کاهش اثر آنومری از ترکیب ۱ به ۴ اختلاف طول پیوند M2-C4 نیز کاهش پیدا می­ کند. برای پیوند M1-C3 نیز دقیقا همین روند مشاهده شد (جدول ۴-۷).
در شکل­های زیر مقادیر طول پیوند M1=M2 ، M2-C4 و M1-C3 برای ترکیبات ۱ تا ۴ مشخص شده است :

شکل ۴- ۶: طول پیوند N1=N2 ، N2-C4 و N1-C3 برای پیکربندی سیس و ترانس ۱و۲-دی­فنیل دی­آزن (برحسب آنگستروم)

شکل ۴- ۷: طول پیوند P1=P2 ، P2-C4 و P1-C3 برای پیکربندی سیس و ترانس ۱و۲-دی­فنیل دی­فسفن (برحسب آنگستروم)

شکل ۴- ۸: طول پیوند As1=As2 ، As 2-C4 و As1-C3 برای پیکربندی سیس و ترانس ۱و۲-دی­فنیل دی­آرسن (برحسب آنگستروم)

شکل ۴- ۹: طول پیوند Sb1=Sb2 ، Sb2-C4 و Sb1-C3 برای پیکربندی سیس و ترانس ۱و۲-دی­فنیل دی­استیبن (برحسب آنگستروم)
۴-۳- نتیجه ­گیری
محاسبات B3LYP/Def2-TZVPP گزارش شده و تحلیل NBO یک تصویر مناسب از ساختار، انرژی، پیوند و اثرات استریوالکترونی بر خواص پیکربندی ترکیبات ۱ تا ۴ ارائه داد.
نتایج حاصل از روش B3LYP/Def2-TZVPP نشان می­دهد که در ترکیبات ۱و۲-دی­فنیل دی­آزن، ۱و۲-دی­فنیل دی­فسفن، ۱و۲-دی­فنیل دی­آرسن و ۱و۲-دی­فنیل دی­استیبن با توجه به کاهش اختلاف انرژی آزاد گیبس به پایداری پیکربندی سیس در مقابل پیکربندی ترانس با رفتن از ترکیب ۱ به ۴ افزوده می­ شود.
در بررسی اینکه از بین اثر آنومری، اثرات الکترواستاتیک و اثرات فضائی کدام عامل می ­تواند نتایج را تائید کند، اثر آنومری تعمیم یافته GAE در توجیه افزایش پایداری پیکربندی سیس نسبت به پیکربندی ترانس در ترکیبات موردنظر، نتایج قابل قبولی ارائه نمی‌کند. روند مشاهده شده برای اختلاف بین مقادیر ممان­های دو قطبی(µ∆) پیکربندی­های ترانس و سیس در ترکیب های ۱ تا ۴ ، هم راستا با روند تغییرات DG مربوطه است. بنابراین مدل الکترواستاتیک مرتبط با برهم­کنش دوقطبی-دوقطبی توجیه کننده مقادیر DG محاسبه شده برای ترکیب­های ۱ تا ۴ است.
رابطه مستقیمی بین اثر آنومری و اختلاف طول پیوند وجود دارد بطوریکه با کاهش اثر آنومری تعمیم یافته ( GAE_trans-cis) در ترکیبات ۱ تا ۴ اختلاف طول پیوند Δ[ r_{M1-M2 Trans} – r_{M1-M2 Cis} ] و نیز اختلاف طول پیوند Δ[ r_{M2-C4 Trans} – r_{M2-C4 Cis} ] در ترکیبات فوق کاهش می­یابد.
جداول